单齐纳二极管

结果 : 2
制造商
Central Semiconductor CorpMicrochip Technology
包装
剪切带（CT）卷带（TR）散装
容差
±5%±10%
功率 - 最大值
400 mW500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
17 Ohms19 Ohms
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA1.5 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C（TA）-65°C ~ 200°C
供应商器件封装
DO-204AH（DO-35）DO-35
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
39,138
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.70684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
5.1 V
±5%
500 mW
17 Ohms
1 µA @ 1 V
1.5 V @ 200 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
0
现货
查看交期
439 : ¥15.26938
散装
-
散装
在售
5.1 V
±10%
400 mW
19 Ohms
1 µA @ 1 V
1.1 V @ 200 mA
-65°C ~ 175°C（TA）
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-204AH（DO-35）
显示
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单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。