单齐纳二极管

结果 : 2
包装
剪切带（CT）卷带（TR）散装
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
12 V68 V
阻抗（最大值）(Zzt)
2.5 Ohms44 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 51.7 V2 µA @ 9.1 V
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SurmeticP6KE_6.8A
1N5373BRLG
DIODE ZENER 68V 5W AXIAL
onsemi
8,754
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.90450
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
68 V
±5%
5 W
44 Ohms
500 nA @ 51.7 V
1.2 V @ 1 A
-65°C ~ 200°C
通孔
T-18，轴向
轴向
SurmeticP6KE_6.8A
1N5349BG
DIODE ZENER 12V 5W AXIAL
onsemi
6,280
现货
1 : ¥3.78000
散装
-
散装
在售
12 V
±5%
5 W
2.5 Ohms
2 µA @ 9.1 V
1.2 V @ 1 A
-65°C ~ 200°C
通孔
T-18，轴向
轴向
显示
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单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。