单齐纳二极管

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PDZV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
3.8 V110 V
容差
±5%±5.26%
功率 - 最大值
500 mW1 W
阻抗（最大值）(Zzt)
20 Ohms750 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 84 V10 µA @ 27 V
工作温度
-55°C ~ 150°C150°C（TJ）
封装/外壳
SOD-123SOD-128
供应商器件封装
PMDTMSOD-123
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOD-123_425
MMSZ5272BT3G
DIODE ZENER 110V 500MW SOD123
onsemi
29,787
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.24377
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
110 V
±5%
500 mW
750 Ohms
100 nA @ 84 V
900 mV @ 10 mA
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOD-123
SOD-123
SOD-128
PDZVTR3.6B
DIODE ZENER 3.8V 1W PMDTM
Rohm Semiconductor
10,175
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97322
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
3.8 V
±5.26%
1 W
20 Ohms
10 µA @ 27 V
-
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOD-128
PMDTM
显示
/ 2

单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。