单齐纳二极管

结果 : 2
制造商
Micro Commercial CoPanjit International Inc.
系列
-1N5338B
包装
剪切带(CT)卷带(TR)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 2 V10 µA @ 2 V
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳
DO-201AE,轴向DO-204AC,DO-15,轴向
供应商器件封装
DO-15DO-201AE
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗(最大值)(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO15
1N5339B-TP
DIODE ZENER 5.6V 5W DO15
Micro Commercial Co
95,144
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.15276
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
5.6 V
±5%
5 W
1 Ohms
1 µA @ 2 V
1.2 V @ 1 A
-55°C ~ 150°C
通孔
DO-204AC,DO-15,轴向
DO-15
9,608
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
1,250 : ¥1.28053
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
-
在售
5.6 V
±5%
5 W
1 Ohms
10 µA @ 2 V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
DO-201AE,轴向
DO-201AE
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单齐纳二极管


齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。