单齐纳二极管

结果 : 2
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
13 V14 V
阻抗（最大值）(Zzt)
13 Ohms15 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 10 V500 nA @ 9.9 V
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
DO-35
1N5243B
DIODE ZENER 13V 500MW DO35
onsemi
14,079
现货
20,000
工厂
1 : ¥0.99000
散装
-
散装
在售
13 V
±5%
500 mW
13 Ohms
500 nA @ 9.9 V
1.2 V @ 200 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
DO-35
1N5244B
DIODE ZENER 14V 500MW DO35
onsemi
4,075
现货
1 : ¥1.40000
散装
-
散装
在售
14 V
±5%
500 mW
15 Ohms
100 nA @ 10 V
1.2 V @ 200 mA
-65°C ~ 200°C
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
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单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。