单双极晶体管

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
晶体管类型
NPNNPN - 达林顿PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
200 mA600 mA1.2 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
400mV @ 5mA,50mA1V @ 100µA,100mA1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
10nA(ICBO)50nA(ICBO)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 10mA,1V100 @ 150mA,10V20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值
250 mW300 mW350 mW
频率 - 跃迁
220MHz250MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-236AB
MMBT3906,215
TRANS PNP 40V 0.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
72,195
现货
1 : ¥1.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19162
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
200 mA
40 V
400mV @ 5mA,50mA
50nA(ICBO)
100 @ 10mA,1V
250 mW
250MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
SOT 23-3
MMBT2222LT1G
TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
onsemi
41,885
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.20607
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
30 V
1.6V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
300 mW
250MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
BCV27
BCV27
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3
onsemi
25,102
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42513
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN - 达林顿
1.2 A
30 V
1V @ 100µA,100mA
100nA(ICBO)
20000 @ 100mA,5V
350 mW
220MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。