单双极晶体管

结果 : 2
制造商
Central Semiconductor CorpSTMicroelectronics
包装
散装管件
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150 mA1 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 10mA,100mA700mV @ 125mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)300µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
15 @ 1A,4V70 @ 2mA,6V
功率 - 最大值
400 mW2 W
频率 - 跃迁
80MHz-
工作温度
150°C(TJ)-
安装类型
-通孔
封装/外壳
-TO-220-3
供应商器件封装
-TO-220
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-220-3
TIP29A
TRANS NPN 60V 1A TO220
STMicroelectronics
2,057
现货
1 : ¥5.25000
管件
-
管件
在售
NPN
1 A
60 V
700mV @ 125mA,1A
300µA
15 @ 1A,4V
2 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
2,161
现货
1 : ¥7.63000
散装
-
散装
在售
NPN
150 mA
50 V
250mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
70 @ 2mA,6V
400 mW
80MHz
-
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。