单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	等级	资质	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

TIP122G TRANS NPN DARL 100V 5A TO220 onsemi	13,661 现货	1 : ¥6.08000 管件	-	管件	在售	NPN - 达林顿	5 A	100 V	4V @ 20mA，5A	500µA	1000 @ 3A，3V	2 W	-	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220
TIP142G TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3 onsemi	1,033 现货	1 : ¥16.83000 管件	-	管件	在售	NPN - 达林顿	10 A	100 V	3V @ 40mA，10A	2mA	1000 @ 5A，4V	125 W	-	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
TIP142 TRANS NPN DARL 100V 10A TO247 STMicroelectronics	5,565 现货	1 : ¥18.88000 管件	-	管件	在售	NPN - 达林顿	10 A	100 V	3V @ 40mA，10A	2mA	1000 @ 5A，4V	125 W	-	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247
TIP132 TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 STMicroelectronics	1,369 现货	1 : ¥7.06000 管件	-	管件	最后售卖	NPN - 达林顿	8 A	100 V	4V @ 30mA，6A	500µA	1000 @ 4A，4V	2 W	-	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220
BU931P TRANS NPN DARL 400V 15A TO247-3 STMicroelectronics	452 现货	1 : ¥37.44000 管件	-	管件	在售	NPN - 达林顿	15 A	400 V	1.8V @ 250mA，10A	100µA	300 @ 5A，10V	135 W	-	175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247-3	TO-247-3
BDX33C TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB Harris Corporation	1,195 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	NPN - 达林顿	10 A	100 V	2.5V @ 6mA，3A	500µA	750 @ 3A，3V	70 W	-	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220AB
BDX33C TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB onsemi	1,898 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	NPN - 达林顿	10 A	100 V	2.5V @ 6mA，3A	500µA	750 @ 3A，3V	70 W	-	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220AB
BDX34C TRANS PNP DARL 100V 10A TO220 STMicroelectronics	433 现货	1 : ¥5.66000 管件	-	管件	在售	PNP - 达林顿	10 A	100 V	2.5V @ 6mA，3A	500µA	750 @ 3A，3V	70 W	-	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220
BDW93CFP TRANS NPN DARL 100V 12A TO220FP STMicroelectronics	91 现货	1 : ¥13.05000 管件	-	管件	在售	NPN - 达林顿	12 A	100 V	3V @ 100mA，10A	1mA	750 @ 5A，3V	33 W	-	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3 整包	TO-220FP
2SB1259 TRANS PNP DARL 120V 10A TO220F Sanken Electric USA Inc.	22 现货	1 : ¥19.29000 散装	-	散装	在售	PNP - 达林顿	10 A	120 V	1.5V @ 10mA，5A	10µA（ICBO）	2000 @ 5A，4V	30 W	100MHz	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3 整包	TO-220F

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分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。