单双极晶体管

结果 : 4
制造商
onsemiSTMicroelectronics
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
3 A10 A15 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1V @ 400mA,8A1V @ 800mA,8A1.2V @ 375mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)
10µA300µA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
10 @ 3A,4V20 @ 4A,1V40 @ 4A,1V
功率 - 最大值
2 W83 W
频率 - 跃迁
3MHz40MHz50MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-220-3
TIP32C
TRANS PNP 100V 3A TO220
STMicroelectronics
2,089
现货
1 : ¥5.75000
管件
-
管件
在售
PNP
3 A
100 V
1.2V @ 375mA,3A
300µA
10 @ 3A,4V
2 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
TIP31BG
TRANS NPN 80V 3A TO220
onsemi
3,540
现货
1 : ¥6.90000
管件
-
管件
在售
NPN
3 A
80 V
1.2V @ 375mA,3A
300µA
10 @ 3A,4V
2 W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
D45H11G
TRANS PNP 80V 10A TO220
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.31000
管件
-
管件
在售
PNP
10 A
80 V
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
2 W
40MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
D45VH10G
TRANS PNP 80V 15A TO220
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.31000
管件
-
管件
在售
PNP
15 A
80 V
1V @ 800mA,8A
-
20 @ 4A,1V
83 W
50MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。