单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A1.5 A5.1 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
20 V50 V80 V100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
220mV @ 50mA,1.5A300mV @ 255mA,5.1A350mV @ 25mA,500mA500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA100nA(ICBO)1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
100 @ 150mA,2V100 @ 2A,2V180 @ 50mA,2V300 @ 100mA,2V
功率 - 最大值
500 mW625 mW1.3 W2 W
频率 - 跃迁
110MHz145MHz180MHz360MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
资质
AEC-Q100AEC-Q101
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223SOT-23(DN 型)SOT-89
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT223
PBSS306NZ,135
TRANS NPN 100V 5.1A SOT223
Nexperia USA Inc.
24,806
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.73730
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
5.1 A
100 V
300mV @ 255mA,5.1A
100nA(ICBO)
100 @ 2A,2V
2 W
110MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223
SOT-89
BCX53-16,115
TRANS PNP 80V 1A SOT89
Nexperia USA Inc.
28,861
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
1,000 : ¥0.97322
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
1 A
80 V
500mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 150mA,2V
1.3 W
145MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
TO-243AA
SOT-89
SOT23 (Type DN)
FMMT718QTA
SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,880
现货
192,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18751
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
1.5 A
20 V
220mV @ 50mA,1.5A
100nA
300 @ 100mA,2V
625 mW
180MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23(DN 型)
2SAR513PHZGT100
2SCR513PHZGT100
TRANS NPN 50V 1A SOT89
Rohm Semiconductor
1,415
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
1,000 : ¥1.76485
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
1 A
50 V
350mV @ 25mA,500mA
1µA(ICBO)
180 @ 50mA,2V
500 mW
360MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-243AA
SOT-89
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。