单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
晶体管类型
NPNNPN - 达林顿PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
600 mA1.5 A2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40 V120 V150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
280mV @ 400mA，2A1V @ 50mA，500mA1.5V @ 1mA，1A2.5V @ 2mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
10nA（ICBO）100nA10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
100 @ 150mA，10V100 @ 1A，10V2000 @ 1A，5V3000 @ 1A，5V
功率 - 最大值
310 mW1.45 W2 W
频率 - 跃迁
33MHz150MHz160MHz300MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223SOT-223-3SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-23-3
MMBT2222A-7-F
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Diodes Incorporated
1,554,155
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.17514
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA，500mA
10nA（ICBO）
100 @ 150mA，10V
310 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-223-3
FZT605TA
TRANS NPN DARL 120V 1.5A SOT223
Diodes Incorporated
29,896
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.38809
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN - 达林顿
1.5 A
120 V
1.5V @ 1mA，1A
10µA
2000 @ 1A，5V
2 W
150MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
SOT223
PBHV8215Z,115
TRANS NPN 150V 2A SOT223
Nexperia USA Inc.
2,873
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.62268
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
2 A
150 V
280mV @ 400mA，2A
100nA
100 @ 1A，10V
1.45 W
33MHz
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
SOT-223-3
FZT705TA
TRANS PNP DARL 120V 2A SOT223-3
Diodes Incorporated
26,825
现货
403,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.93207
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
PNP - 达林顿
2 A
120 V
2.5V @ 2mA，2A
10µA
3000 @ 1A，5V
2 W
160MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。