单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Micro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA200 mA600 mA3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
25 V40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 5mA，50mA400mV @ 5mA，50mA600mV @ 300mA，3A1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA（ICBO）100nA（ICBO）-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
100 @ 10mA，1V100 @ 150mA，10V100 @ 1A，2V
功率 - 最大值
150 mW250 mW350 mW2 W
频率 - 跃迁
150MHz300MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SC-70-3（SOT323）SOT-223-4SOT-23TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 23
MMBT3904-TP
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
Micro Commercial Co
2,137,064
现货
1 : ¥0.82000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.13682
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
100 @ 10mA，1V
350 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23
TO-236AB
PMBS3906,215
TRANS PNP 40V 0.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
10,208
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18419
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
100 mA
40 V
400mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
100 @ 10mA，1V
250 mW
150MHz
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
SOT-223-4
FZT649
TRANS NPN 25V 3A SOT223-4
onsemi
1,883
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.94716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
3 A
25 V
600mV @ 300mA，3A
100nA（ICBO）
100 @ 1A，2V
2 W
150MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-4
SC-70-3
MMBT2222AWT3G
TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
onsemi
147
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.16251
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，10V
150 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70，SOT-323
SC-70-3（SOT323）
显示
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。