单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

PBSS9410PA,115 TRANS PNP 100V 2.7A 3HUSON Nexperia USA Inc.	8,014 现货	1 : ¥3.69000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.23767 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	PNP	2.7 A	100 V	450mV @ 135mA，2.7A	100nA	170 @ 1A，2V	2.1 W	115MHz	150°C（TJ）	表面贴装型	3-PowerUDFN	3-HUSON（2x2）
ZXTN2020FTA TRANS NPN 100V 4A SOT23-3 Diodes Incorporated	11,190 现货	1 : ¥6.57000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.48122 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	NPN	4 A	100 V	150mV @ 400mA，4A	20nA（ICBO）	100 @ 1A，2V	1.2 W	130MHz	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SOT-23-3
PBSS8510PA,115 TRANS NPN 100V 5.2A 3HUSON Nexperia USA Inc.	17,916 现货	1 : ¥3.86000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.10109 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	NPN	5.2 A	100 V	340mV @ 260mA，5.2A	100nA	95 @ 2A，2V	2.1 W	150MHz	150°C（TJ）	表面贴装型	3-PowerUDFN	3-HUSON（2x2）

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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。