单双极晶体管

结果 : 4
制造商
Diotec SemiconductoronsemiSTMicroelectronics
包装
剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA200 mA6 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V45 V60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 5mA,50mA600mV @ 5mA,100mA1.5V @ 600mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值)
15nA700µA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
15 @ 3A,4V100 @ 10mA,1V200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值
500 mW625 mW2 W
频率 - 跃迁
3MHz300MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商器件封装
TO-220TO-92TO-92-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N3904BU
TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
onsemi
163,158
现货
1 : ¥2.87000
散装
-
散装
在售
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
625 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
TO-92-3
BC327-16
BC547B
TRANS NPN 45V 100MA TO92
Diotec Semiconductor
12,896
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.18339
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
NPN
100 mA
45 V
600mV @ 5mA,100mA
15nA
200 @ 2mA,5V
500 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
TO-92
TO-220-3
TIP42A
TRANS PNP 60V 6A TO220
STMicroelectronics
1,077
现货
1 : ¥9.11000
管件
-
管件
在售
PNP
6 A
60 V
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
2 W
-
150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
TO-220-3
TIP41AG
TRANS NPN 60V 6A TO220
onsemi
751
现货
1 : ¥8.05000
管件
-
管件
停产
NPN
6 A
60 V
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
2 W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220
显示
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。