单双极晶体管

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA500 mA600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V65 V80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
250mV @ 10mA,100mA600mV @ 5mA,100mA1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
10nA(ICBO)15nA100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 100mA,1V100 @ 150mA,10V110 @ 2mA,5V
功率 - 最大值
200 mW225 mW300 mW
频率 - 跃迁
100MHz300MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 23-3
MMBT2222ALT1G
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
onsemi
826,828
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
40 V
1V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
225 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
SOT-323
PMSTA06,115
TRANS NPN 80V 0.5A SOT323
Nexperia USA Inc.
97,233
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21437
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
500 mA
80 V
250mV @ 10mA,100mA
100nA(ICBO)
50 @ 100mA,1V
200 mW
100MHz
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70,SOT-323
SOT-323
SOT-23-3
BC846A-7-F
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Diodes Incorporated
155,144
现货
1,614,000
工厂
1 : ¥1.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.25961
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
100 mA
65 V
600mV @ 5mA,100mA
15nA
110 @ 2mA,5V
300 mW
300MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
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单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。