单双极晶体管

显示

/ 4

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

2N2222A TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Microchip Technology	1,061 现货	1 : ¥23.81000 散装	-	散装	在售	NPN	800 mA	50 V	1V @ 50mA，500mA	50nA	100 @ 150mA，10V	500 mW	-	-65°C ~ 200°C（TJ）	通孔	TO-206AA，TO-18-3 金属罐	TO-18
2N3904 PBFREE TRANS NPN 40V TO92-3 Central Semiconductor Corp	15,573 现货	1 : ¥3.45000 散装	-	散装	在售	NPN	-	40 V	-	50nA（ICBO）	100 @ 10mA，1V	-	300MHz	-65°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）	TO-92-3
TIP29CG TRANS NPN 100V 1A TO220 onsemi	2,680 现货	1 : ¥9.19000 管件	-	管件	在售	NPN	1 A	100 V	700mV @ 125mA，1A	300µA	15 @ 1A，4V	2 W	3MHz	-65°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220-3	TO-220
2N2369A PBFREE TRANS NPN 15V 0.2A TO18 Central Semiconductor Corp	240 现货	1 : ¥19.37000 散装	-	散装	在售	NPN	200 mA	15 V	500mV @ 10mA，100mA	400nA（ICBO）	40 @ 10mA，350mV	360 mW	500MHz	-65°C ~ 200°C（TJ）	通孔	TO-206AA，TO-18-3 金属罐	TO-18

显示

/ 4

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。