单二极管

结果 : 3
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）
产品状态
停产在售
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
100 V120 V1000 V
电流 - 平均整流 (Io)
200mA1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 1 A1 V @ 10 mA1.25 V @ 200 mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
4 ns50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 100 V5 µA @ 1000 V5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容
4pF @ 0V，1MHz5pF @ 0V，1MHz8pF @ 4V，1MHz
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装
DO-35DO-41
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C175°C（最大）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
DO-35
1N4148-T26A
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
onsemi
161,732
现货
1 : ¥0.82000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.08574
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
标准
100 V
200mA
1 V @ 10 mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4 ns
5 µA @ 75 V
4pF @ 0V，1MHz
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
-55°C ~ 175°C
DO-35
BAV19TR
DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
onsemi
39,161
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.33829
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
标准
120 V
200mA
1.25 V @ 200 mA
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
50 ns
100 nA @ 100 V
5pF @ 0V，1MHz
通孔
DO-204AH，DO-35，轴向
DO-35
175°C（最大）
261-DO-41
1N4007-T
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Diodes Incorporated
293,448
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.26694
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
标准
1000 V
1A
1 V @ 1 A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
-
5 µA @ 1000 V
8pF @ 4V，1MHz
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-41
-65°C ~ 150°C
显示
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单二极管

单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。