Vishay Siliconix 单 FET,MOSFET

结果 : 4,719
系列
-*DEEFELFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®SSkyFET®, TrenchFET®SkyFET®, TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V16 V20 V22 V25 V30 V40 V45 V50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA(Ta)115mA(Ta)140mA(Ta)155mA(Ta)185mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)240mA(Ta)270mA(Ta)300mA(Ta)320mA(Ta)320mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V1.5V,3.7V1.5V,4.5V1.7V,4.5V1.8V,4.5V2V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V3V,10V3.3V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 30A,10V0.47 毫欧 @ 20A,10V0.52 毫欧 @ 20A,10V0.53 毫欧 @ 20A,10V0.57 毫欧 @ 20A,10V0.58 毫欧 @ 20A,10V0.6 毫欧 @ 15A,10V0.62 毫欧 @ 20A,10V0.67 毫欧 @ 20A,10V0.69 毫欧 @ 20A, 10V0.74 毫欧 @ 20A,10V0.76 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 250µA(最小)450mV @ 100µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)450mV @ 2mA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 1.2mA(最小)600mV @ 1mA(最小)600mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)750mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 4.5 V0.71 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.84 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 8 V1.4 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.49 nC @ 5 V1.5 nC @ 10 V1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±5V±6V±8V±9V±10V+12V,-8V±12V+16V,-12V+16V,-20V±16V+20V,-16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3.5 pF @ 15 V16 pF @ 10 V17 pF @ 15 V21 pF @ 5 V21 pF @ 6 V23 pF @ 25 V24 pF @ 30 V30 pF @ 25 V31 pF @ 10 V31 pF @ 15 V33 pF @ 15 V35 pF @ 10 V
FET 功能
-电流检测肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)170mW(Ta)190mW(Ta)190mW(Ta),200mW(Tc)200mW(Ta)220mW(Ta)236mW(Ta)240mW(Ta)240mW(Tc)250mW(Ta)250mW(Tc)280mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
4-HVMDIP4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)4-MICRO FOOT®(1x1)4-Micro Foot(1x1)4-Microfoot4-WLCSP(1.6x1.6)6-Micro Foot™(1.5x1)6-Micro Foot™(2.4x2)6-TSOP6-microfoot8-SO
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)4-UFBGA4-UFBGA,WLCSP4-XFBGA4-XFBGA,CSPBGA6-MICRO FOOT®CSP6-PowerVDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFBGA8-PowerBSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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/ 4,719
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
849,520
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
397,330
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
171,643
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta),1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
79,841
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta),1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
61,564
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
2.5V,4.5V
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
24,711
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
7.6A(Tc)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 5.4A,10V
2.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
14,874
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10681
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Tc)
1.5V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
48,708
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90834
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.3A(Ta),3.6A(Tc)
4.5V,10V
60 毫欧 @ 3.2A,10V
2.2V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
119,522
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Tc)
1.8V,4.5V
31.8 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
24,064
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.4A(Tc)
1.5V,4.5V
61 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1V @ 250µA
21 nC @ 8 V
±8V
-
-
1.25W(Ta),1.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
160,840
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
1.8V,4.5V
700 毫欧 @ 600mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
111,785
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64175
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.5V,4.5V
420 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
Pkg 5868
SI1013R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Vishay Siliconix
98,308
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
450mV @ 250µA(最小)
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
95,270
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97322
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5.6A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
40,194
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97322
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
5.8A(Tc)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 4.4A,4.5V
1V @ 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
39,768
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97322
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Tc)
2.5V,10V
132 毫欧 @ 1.4A,10V
1.5V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW(Ta),500mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
53,015
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98879
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.2A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
950mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-6
SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Vishay Siliconix
49,306
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99916
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.9A(Tc)
2.5V,10V
58 毫欧 @ 3.1A,10V
1.4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
-
2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
90,897
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.00824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.6A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
22,484
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27190
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
2.5V,10V
26 毫欧 @ 9A,10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
Pkg 5540
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Vishay Siliconix
19,160
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27190
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.5A(Ta),13A(Tc)
4.5V,10V
89 毫欧 @ 1.5A,4.5V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
2W(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
979,138
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04976
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
185mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-89-3_463C
SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Vishay Siliconix
64,511
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68989
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
450mA(Ta)
4.5V
760 毫欧 @ 400mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
±8V
45 pF @ 10 V
-
190mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
32,593
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.03809
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.6A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 9A,10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
16,425
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32083
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.7A(Ta),3.6A(Tc)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 2.7A,10V
2.5V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
1W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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Vishay Siliconix 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。