TO-247-3 单 FET,MOSFET

结果 : 1,990
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial Co
系列
-AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101C2M™C3M™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7
包装
卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
24 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V70 V75 V80 V85 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)500mA(Tc)1A(Tc)1.5A(Tc)2A(Tc)2A(Tj)2.4A(Tc)2.5A(Tc)2.6A(Tc)3A3A(Tc)3A(Tc)(95°C)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V4.5V,10V5V,20V6V,10V7V,10V7.5V,10V8V,10V10V10V,12V10V,15V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.28 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 180A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 195A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V1.85 毫欧 @ 195A,10V1.85 毫欧 @ 50A,10V1.9 毫欧 @ 100A,10V2 毫欧 @ 100A,10V2.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.4V @ 10mA2.4V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA2.6V @ 1mA(典型值)2.6V @ 700µA2.65V @ 700µA2.69V @ 10mA2.69V @ 2mA2.69V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.3 nC @ 18 V5.5 nC @ 12 V7.4 nC @ 10 V8.1 nC @ 12 V8.5 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11 nC @ 20 V11.7 nC @ 12 V12 nC @ 10 V12 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
-8V,+19V+15V,-4V+15V,-5V±15V15V,12V+18V,-5V+18V,-8V±18V+19V,-10V+19V,-8V+20V,-10V+20V,-2V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
111 pF @ 1000 V116 pF @ 25 V124 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V150 pF @ 1000 V182 pF @ 800 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V200 pF @ 1000 V206 pF @ 800 V225 pF @ 1000 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
250mW(Tc)3.1W(Ta),500W(Tc)3.8W(Ta),230W(Tc)3.8W(Ta),341W(Tc)3.8W(Ta),556W(Tc)8.3W(Ta),208W(Tc)15W(Tc)15.6W(Ta),312W(Tc)18W (Ta), 500W (Tc)32W(Tc)44W(Tc)48W
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 135°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
HiP247™HiP247™ 长引线ISO TO-247-3ISO247ISOPLUS247™MAX247™PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-3-21PG-TO247-3-31PG-TO247-3-40PG-TO247-3-41
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,990结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 1,990
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRFP064NPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Infineon Technologies
2,863
现货
1 : ¥22.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
110A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 59A,10V
4V @ 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Infineon Technologies
10,496
现货
1 : ¥23.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
57A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP240PBF
MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
2,542
现货
1 : ¥23.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
20A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP9140PBF
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
Vishay Siliconix
2,047
现货
1 : ¥23.40000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
21A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
180W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
7,988
现货
1 : ¥23.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
30A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 250µA
123 nC @ 10 V
±20V
2159 pF @ 25 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
9,624
现货
1 : ¥23.97000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
20A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±30V
2942 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
234
现货
1 : ¥26.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4520 pF @ 50 V
-
220W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW11N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Infineon Technologies
1,627
现货
1 : ¥27.91000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
11A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 7.1A,10V
3.9V @ 680µA
85 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
2,466
现货
1 : ¥28.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
14A(Tc)
10V
400 毫欧 @ 8.4A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
8,858
现货
1 : ¥28.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
120A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
±20V
6540 pF @ 50 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP350PBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Vishay Siliconix
1,961
现货
1 : ¥30.13000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
16A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 9.6A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STMicroelectronics
306
现货
1 : ¥31.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
17A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 8.5A,10V
4.5V @ 100µA
119 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
190W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
13,204
现货
1 : ¥33.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 28A,10V
4V @ 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
2,357
现货
1 : ¥33.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
65A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 46A,10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
5,887
现货
1 : ¥37.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
20A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Microchip Technology
544
现货
1 : ¥37.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
8A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 4A,10V
5V @ 1mA
60 nC @ 10 V
±30V
1885 pF @ 25 V
-
290W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4110PBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Infineon Technologies
1,410
现货
1 : ¥38.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9620 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,597
现货
1 : ¥44.66000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2 欧姆 @ 2A,20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V,-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP264PBF
MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Vishay Siliconix
1,821
现货
1 : ¥44.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
38A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP2907PBF
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Infineon Technologies
6,927
现货
1 : ¥46.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
209A(Tc)
10V
4.5 毫欧 @ 125A,10V
4V @ 250µA
620 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 25 V
-
470W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW40N65M2
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
STMicroelectronics
162
现货
1 : ¥47.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
32A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 16A,10V
4V @ 250µA
56.5 nC @ 10 V
±25V
2355 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Infineon Technologies
878
现货
1 : ¥47.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
37A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 AD EP
FDH45N50F-F133
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
onsemi
383
现货
1 : ¥49.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
45A(Tc)
10V
120 毫欧 @ 22.5A,10V
5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±30V
6630 pF @ 25 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW20N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,613
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20.7A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 13.1A,10V
3.9V @ 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,339
现货
1 : ¥53.53000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
15V
192 毫欧 @ 10A,15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 1,990

TO-247-3 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。