P 通道 单 FET,MOSFET

结果 : 5,717
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLinear Integrated Systems, Inc.Micro Commercial Co
系列
-AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101CMSDeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIFemtoFET™FETKY™GHEXFET®LITTLE FOOT®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
6 V8 V12 V14 V15 V16 V16.5 V20 V25 V28 V30 V32 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA(Ta)45mA(Ta)50mA50mA(Ta)54mA(Tj)65mA(Ta)70mA(Ta)75mA(Ta)85mA(Tj)86mA(Tj)90mA(Ta)100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,2.5V0.9V,4.5V1.2V,10V1.2V,2.5V1.2V,4.5V1.2V,4V1.2V,5V1.3V,4.5V1.5V,2.5V1.5V,3.7V1.5V,4.5V1.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 10A,10V1.4 毫欧 @ 23A,10V1.5 毫欧 @ 20A,10V1.6 毫欧 @ 25A,10V1.7 毫欧 @ 20A,10V1.7 毫欧 @ 30A,4.5V1.8 毫欧 @ 100A,10V1.8 毫欧 @ 23A,10V1.9 毫欧 @ 25A,10V1.95 毫欧 @ 25A,10V2 毫欧 @ 10A,10V2.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 100µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 1mA(典型值)600mV @ 250µA(最小)600mV @ 500µA(最小)650mV @ 250µA680mV @ 1mA(典型值)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(典型值)700mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.0007 nC @ 4.5 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 10 V0.36 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 10 V0.5 nC @ 4 V0.5 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
-20V-12V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+2V,-15V+3V,-16V+5V,-16V±5V+6V, -12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3.5 pF @ 15 V5.2 pF @ 6 V6.2 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V9.1 pF @ 3 V10 pF @ 15 V11 pF @ 10 V11 pF @ 3 V12 pF @ 3 V12.2 pF @ 3 V12.8 pF @ 15 V
FET 功能
-耗尽模式肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
100mW100mW(Ta)121mW(Ta)125mW(Ta)150mW150mW(Ta)155mW(Ta)170mW(Ta)190mW(Ta)200mW200mW(Ta)225mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/630
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
3-CPH3-DFN(1.0 x 0.60)3-LGA(0.73x0.64)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-SPA3-SSFP3-XDFN(0.42x0.62)3-XLLGA(0.62x0.62)4-AlphaDFN(0.97x0.97)
封装/外壳
3-PowerSMD,引线3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,扁平引线3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线3-SMD,非标准型3-UDFN3-UFDFN3-XDFN 裸露焊盘3-XDFN3-XFDFN3-XFLGA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5,717结果
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/ 5,717
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
696,512
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31335
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
180mA(Ta)
10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW(Ta),1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
456,627
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33716
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,120,606
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3A(Ta)
4.5V,10V
95 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
408,108
现货
3,846,000
工厂
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42327
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
460mA(Ta)
1.8V,4.5V
700 毫欧 @ 350mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
224,574
现货
1 : ¥2.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43244
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
10V
10 欧姆 @ 130mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
212,381
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45078
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3A(Ta)
2.5V,4.5V
120 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
PMF170XP,115
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
114,660
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48613
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1A(Ta)
4.5V
200 毫欧 @ 1A,4.5V
1.15V @ 250µA
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
280 pF @ 10 V
-
290mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
369,833
现货
1 : ¥2.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75544
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Ta)
1.8V,8V
17.6 毫欧 @ 6A,8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
338,887
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50539
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5105PT1G
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
onsemi
365,688
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52304
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
196mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 100mA,10V
3V @ 250µA
1 nC @ 5 V
±20V
30.3 pF @ 25 V
-
347mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
327,740
现货
1,731,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48192
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
152,038
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78375
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 330mA,10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,721
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78000
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.7 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
56,995
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
760mA(Ta)
4.5V,10V
600 毫欧 @ 600mA,10V
1V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
241,091
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-89-3_463C
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
onsemi
83,158
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80192
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
760mA(Tj)
1.8V,4.5V
360 毫欧 @ 350mA,4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
313mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89,SOT-490
SOT-23-3
DMP3098LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
214,574
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81749
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
1008 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
171,643
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta),1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
79,841
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.1A(Tc)
2.5V,4.5V
112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW(Ta),1.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2215L-7
MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
63,332
现货
54,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81749
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
1.25V @ 250µA
5.3 nC @ 4.5 V
±12V
250 pF @ 10 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
27
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50758
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
959,673
现货
444,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45811
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
600mA(Ta)
1.8V,4.5V
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
762,491
现货
1 : ¥3.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6A(Ta)
1.5V,4.5V
29.8 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
449,089
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.56155
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.8A(Ta)
1.8V,4.5V
62 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
265,552
现货
1 : ¥3.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2A(Ta)
4V,10V
300 毫欧 @ 1A,10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V,-20V
330 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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P 通道 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。