Infineon Technologies 单 FET,MOSFET

结果 : 7,327
系列
-*CoolGaN™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ 5CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V14 V15 V20 V24 V25 V28 V30 V34 V40 V49 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA(Ta)90mA(Ta)100mA(Ta)110mA(Ta)120mA(Ta)140mA(Ta)150mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)210mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V0V,18V1.8V,2.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,10V2.7V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V3.3V,10V4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.29 毫欧 @ 50A,10V0.35 毫欧 @ 50A,10V0.4 毫欧 @ 150A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.45 毫欧 @ 30A,10V0.45 毫欧 @ 30A,7V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.47 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 88A,10V0.55 毫欧 @ 100A,10V0.55 毫欧 @ 50A,10V0.55 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)600mV @ 500µA(最小)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)750mV @ 11µA750mV @ 3.7µA750mV @ 30µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA950mV @ 3.7µA1V @ 108µA1V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.59 nC @ 10 V0.6 nC @ 10 V0.6 nC @ 2.5 V0.6 nC @ 5 V0.62 nC @ 4.5 V0.63 nC @ 10 V0.65 nC @ 10 V0.67 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V+5V,-16V±7V±8V±10V±12V±14V±16V+18V,-15V+20V,-10V+20V,-12V+20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 50 V18 pF @ 30 V19 pF @ 25 V19.1 pF @ 25 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21 pF @ 25 V28 pF @ 25 V32 pF @ 25 V32 pF @ 30 V39 pF @ 25 V41 pF @ 15 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测耗尽模式肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)300mW(Ta)300mW(Tc)360mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)500mW(Tc)520mW(Ta)540mW(Ta)560mW(Ta)1W(Ta)1.25W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)0°C ~ 150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
4-FlipFet™6-PQFN 双通道(2x2)6-PQFN(2x2)6-PQFN(2x2)(DFN2020)6-TSOP8-PQFN 双(3.3x3.3)8-PQFN(3.1x3.1)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-PQFN(3x3)8-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC
封装/外壳
3-WDSON4-FlipFet™4-PowerTSFN5-PowerSFN6-PowerVDFN6-VSSOP,SC-88,SOT-3638-LDFN 裸焊盘8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7,327结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 7,327
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
104,772
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
95,083
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48227
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
230mA(Ta)
4.5V,10V
3.5 欧姆 @ 230mA,10V
1.4V @ 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
611,845
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51341
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
160 毫欧 @ 1.4A,10V
2V @ 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
152,038
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78375
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
330mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 330mA,10V
2V @ 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,721
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78000
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.7 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
56,995
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
760mA(Ta)
4.5V,10V
600 毫欧 @ 600mA,10V
1V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
241,091
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
220,325
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54710
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
132,024
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54228
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.4A(Ta)
1.8V,2.5V
160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
750mV @ 3.7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
48,825
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58240
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
540mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 270mA,10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
545,064
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.3A(Ta)
1.8V,2.5V
57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
425,259
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
6.3A(Ta)
2.5V,4.5V
21 毫欧 @ 6.3A,4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
108,182
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11658
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
0V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
82,020
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87564
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.2A(Ta)
2.7V,4.5V
250 毫欧 @ 930mA,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
110 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
73,450
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72724
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.5A(Ta)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 1.5A,10V
2V @ 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
64,976
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
140,884
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91742
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
4.5V,10V
80 毫欧 @ 2A,10V
2V @ 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
211,451
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92259
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.3A(Ta)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 5.2A,10V
2.3V @ 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
110,624
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92259
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
37,868
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
242,531
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77324
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.1A(Ta)
2.5V,4.5V
46 毫欧 @ 4.1A,4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
213,260
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.94208
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
780mA(Ta)
2.7V,4.5V
600 毫欧 @ 610mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
206,007
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64337
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V,4.5V
140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
169,821
现货
1 : ¥3.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80293
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 910mA,10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
9,022
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25357
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
100mA(Ta)
0V,10V
14 欧姆 @ 100µA,10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 7,327

Infineon Technologies 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。