86A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 42
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesIXYSMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®HiPerFET™, TrenchOptiMOS™POWER MOS IV®TrenchTrenchFET®TrenchFET® GenIVTrenchMOS™U-MOSIX-HUltra X4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V100 V120 V150 V200 V250 V300 V400 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V6V,10V10V10V,12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.4 毫欧 @ 75A,10V4 毫欧 @ 43A,10V4.5 毫欧 @ 10A,10V5.2 毫欧 @ 86A,10V5.5 毫欧 @ 25A,10V5.8 毫欧 @ 25A,10V6.5 毫欧 @ 15A,10V7 毫欧 @ 17A,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V8.7 毫欧 @ 25A,10V8.9 毫欧 @ 30A,10V10 毫欧 @ 9.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA2.25V @ 250µA2.3V @ 250µA2.35V @ 50µA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA3.5V @ 600µA4V @ 150µA4V @ 250µA4V @ 30µA4V @ 5mA4.5V @ 250µA4.9V @ 150µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.2 nC @ 10 V13.9 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V26 nC @ 4.5 V31 nC @ 5 V37 nC @ 10 V44 nC @ 10 V48 nC @ 10 V50 nC @ 10 V57 nC @ 10 V65 nC @ 10 V70 nC @ 10 V90 nC @ 10 V105 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
978 pF @ 20 V1083 pF @ 20 V2120 pF @ 25 V2150 pF @ 15 V2250 pF @ 25 V2330 pF @ 15 V2442 pF @ 25 V2960 pF @ 25 V3142 pF @ 60 V3500 pF @ 25 V4460 pF @ 50 V4500 pF @ 25 V4570 pF @ 25 V5100 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),170W(Tc)2W(Ta)2.8W(Ta),89W(Tc)3.5W(Ta),72W(Tc)3.9W(Ta),119W(Tc)65W(Tc)70W(Tc)75W(Tc)79W(Tc)136W(Tc)147W(Tc)300W(Tc)350W(Tc)480W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C-
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5.75)D2PAK-7D2PAK(7-Lead)DIRECTFET™ MNDPAKIPAKIPAK(TO-251AA)ISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-TO252-3-313PowerDI5060-8(UX 类)PowerPAK® 1212-8SLW
封装/外壳
8-PowerTDFNDirectFET™ 等容 MNPowerPAK® 1212-8SLWSC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AATO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
42结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 42
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
37,239
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.70853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
86A(Tc)
4.5V,10V
5.8 毫欧 @ 25A,10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF6614TR1PBF
IRF6648TRPBF
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Infineon Technologies
16,416
现货
1 : ¥18.72000
剪切带(CT)
4,800 : ¥8.12216
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
86A(Tc)
10V
7 毫欧 @ 17A,10V
4.9V @ 150µA
50 nC @ 10 V
±20V
2120 pF @ 25 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DIRECTFET™ MN
DirectFET™ 等容 MN
PowerDI5060 UX
DMTH45M5LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
4,585
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.89475
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 25A,10V
2.3V @ 250µA
13.9 nC @ 10 V
±20V
978 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
TPH4R008QM,LQ
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Toshiba Semiconductor and Storage
2,358
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.03706
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
86A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 43A,10V
3.5V @ 600µA
57 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 40 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5.75)
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN7R5-60YLX
MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
40,295
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.45078
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
86A(Tc)
5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 1mA
31 nC @ 5 V
±20V
4570 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO252-3
IPD90N04S405ATMA1
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Infineon Technologies
9,299
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.29398
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
10V
5.2 毫欧 @ 86A,10V
4V @ 30µA
37 nC @ 10 V
±20V
2960 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y8R7-60E,115
MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,500
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.70445
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
86A(Tc)
5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 1mA
31 nC @ 5 V
±10V
4570 pF @ 25 V
-
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
SQR70090ELR_GE3
SQR70090ELR_GE3
MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
Vishay Siliconix
1,830
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.60424
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
86A(Tc)
4.5V,10V
8.7 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IXTP86N20T
MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB
IXYS
346
现货
1 : ¥49.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
86A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 1mA
90 nC @ 10 V
±30V
4500 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA86N20X4
MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
IXYS
1,600
现货
3,050
工厂
1 : ¥93.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
86A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 43A,10V
4.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
2250 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
Littelfuse_Power_Semi_TO-220
IXTP86N20X4
MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
IXYS
538
现货
16,550
工厂
1 : ¥93.34000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
86A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 43A,10V
4.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
2250 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
PowerDI5060 UX
DMTH45M5LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
6,888
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.70097
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 25A,10V
2.3V @ 250µA
13.9 nC @ 10 V
±20V
978 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMTH45M5SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
2,326
现货
5,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.70097
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 25A,10V
3.5V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±20V
1083 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS142ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,719
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.89593
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2442 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerPAK® 1212-8SLW
PowerPAK® 1212-8SLW
TO-263AB
IXTA86N20T
MOSFET N-CH 200V 86A TO263
IXYS
117
现货
1 : ¥51.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
86A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 1mA
90 nC @ 10 V
±30V
4500 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
R6022YNZ4C13
R6086YNZ4C13
NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
560
现货
1 : ¥88.41000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
86A(Tc)
10V,12V
44 毫欧 @ 17A,12V
6V @ 4.6mA
110 nC @ 10 V
±30V
5100 pF @ 100 V
-
781W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247G
TO-247-3
TO252-3
IRFR3709ZTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
86A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 15A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2330 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR8726TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
9,007
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.70850
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
86A(Tc)
4.5V,10V
5.8 毫欧 @ 25A,10V
2.35V @ 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3709ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
9,116
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.93813
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
86A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 15A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2330 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR3709ZTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
5,908
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.93810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
86A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 15A,10V
2.25V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
2330 pF @ 15 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFI7536GPBF
MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
86A(Tc)
10V
3.4 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
195 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 48 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220 整包
TO-220-3 整包
TO-247_IXFH
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
IXYS
21
现货
1 : ¥95.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
86A(Tc)
10V
43 毫欧 @ 43A,10V
5V @ 4mA
180 nC @ 10 V
±20V
11300 pF @ 25 V
-
860W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AD(IXFH)
TO-247-3
PowerDI5060 UX
DMTH45M5SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
50,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥3.04990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 25A,10V
3.5V @ 250µA
13.2 nC @ 10 V
±20V
1083 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),72W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMP4016SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥3.64664
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
5697 pF @ 20 V
-
3.9W(Ta),119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMP4016SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥3.96183
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
5697 pF @ 20 V
-
3.9W(Ta),119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
显示
/ 42

86A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。