单 FET,MOSFET

结果 : 562
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSIXYS Integrated Circuits DivisionMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationRohm Semiconductor
系列
-GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, TrenchHiPerFET™, Ultra X3Linear L2™MDmesh™ VMegaMOS™MESH OVERLAY™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)140mA(Ta)150mA(Ta)190mA(Ta)197mA(Ta)200mA(Ta)205mA(Ta)215mA(Ta)225mA(Ta)230mA(Ta)240mA(Ta)260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V2.4V,10V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V2.8V,10V3V,10V3.5V,10V4V,10V4.5V,10V5V,10V6V,10V7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 120A,10V5 毫欧 @ 120A,10V7.4 毫欧 @ 85A,10V9 毫欧 @ 75A,10V12 毫欧 @ 58A,10V12 毫欧 @ 60A,10V12.9 毫欧 @ 60A,10V13 毫欧 @ 90A,10V16 毫欧 @ 40A,10V17 毫欧 @ 60A,10V17.5 毫欧 @ 56A,10V18 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 130µA1V @ 56µA1.3V @ 1mA1.3V @ 250µA1.8V @ 1mA2V @ 130µA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 370µA2.5V @ 1mA2.8V @ 1mA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.1 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 5 V2.8 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3.45 nC @ 10 V3.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 5 V3.65 nC @ 10 V3.7 nC @ 4 V4.2 nC @ 10 V4.8 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±20V±25V±30V±40V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
60 pF @ 25 V70 pF @ 25 V72 pF @ 25 V73 pF @ 25 V76 pF @ 25 V80 pF @ 25 V81 pF @ 25 V82 pF @ 25 V90 pF @ 25 V104 pF @ 25 V109 pF @ 25 V110 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测耗尽模式
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)500mW(Ta)500mW(Tc)540mW(Ta)600mW(Ta)700mW(Ta),39W(Tc)740mW(Ta)750mW(Ta)800mW(Ta),142W(Tc)850mW(Ta),20W(Tc)850mW(Ta),29W(Tc)900mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-CPH4-HVMDIP4-TFP(9.2x9.2)8-DFN-EP(3x3)8-DFN(5x6)8-DSOP Advance8-MLP(5x6),Power568-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)
封装/外壳
3-SMD,无引线4-DIP(0.300",7.62mm)6-PowerUDFN6-SMD,扁平引线8-PowerSFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)24-PowerSMD,21 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
562结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 562
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
9,022
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25357
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
100mA(Ta)
0V,10V
14 欧姆 @ 100µA,10V
1V @ 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
ZVP4525GTA
MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Diodes Incorporated
10,247
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.43834
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
265mA(Ta)
3.5V,10V
14 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
AP7387Q-30Y-13
ZVN4525ZTA
MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
Diodes Incorporated
5,907
现货
55,000
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.06455
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
240mA(Ta)
2.4V,10V
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 1mA
3.65 nC @ 10 V
±40V
72 pF @ 25 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
C04-029 MB
DN3525N8-G
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Microchip Technology
10,707
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.33612
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
360mA(Tj)
0V
6 欧姆 @ 200mA,0V
-
-
±20V
350 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-243AA(SOT-89)
TO-243AA
SOT-23-6
ZVP4525E6TA
MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
Diodes Incorporated
14,512
现货
57,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.85340
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
197mA(Ta)
3.5V,10V
14 欧姆 @ 200mA,10V
2V @ 1mA
3.45 nC @ 10 V
±40V
73 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-223-3
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Diodes Incorporated
6,201
现货
302,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.20378
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
310mA(Ta)
2.5V,10V
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
1.8V @ 1mA
3.65 nC @ 10 V
±40V
72 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
CPC3703CTR
CPC3703CTR
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
IXYS Integrated Circuits Division
15,493
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.27676
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
360mA(Ta)
0V
4 欧姆 @ 200mA,0V
-
-
±15V
350 pF @ 25 V
耗尽模式
1.1W(Ta)
-55°C ~ 125°C(TA)
-
-
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
TO252-3
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Infineon Technologies
575
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.69463
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
5A(Tc)
10V
430 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 13µA
6.2 nC @ 10 V
±20V
422 pF @ 25 V
-
41W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
15,943
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
17A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DN2625K4-G
MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Microchip Technology
4,779
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.26173
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
1.1A(Tj)
0V
3.5 欧姆 @ 1A,0V
-
7.04 nC @ 1.5 V
±20V
1000 pF @ 25 V
耗尽模式
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
onsemi
11,453
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.40063
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
3A(Ta)
6V,10V
117 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2610 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,952
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.87040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
17A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Infineon Technologies
5,679
现货
1 : ¥17.57000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.62228
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
10.9A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 32µA
11.4 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-263
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
onsemi
1,895
现货
1 : ¥21.18000
剪切带(CT)
800 : ¥11.84486
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
44A(Tc)
10V
69 毫欧 @ 22A,10V
5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±30V
2870 pF @ 25 V
-
307W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
4,844
现货
1 : ¥22.40000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.72113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
26A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Infineon Technologies
11,116
现货
1 : ¥23.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.56234
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Infineon Technologies
7,579
现货
1 : ¥25.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
Infineon Technologies
4,911
现货
1 : ¥25.20000
剪切带(CT)
1,000 : ¥13.04728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
25A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
IRFB4332PBF
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Infineon Technologies
3,335
现货
1 : ¥34.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
60A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 35A,10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
5860 pF @ 25 V
-
390W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4229TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Infineon Technologies
4,126
现货
1 : ¥38.09000
剪切带(CT)
800 : ¥22.97725
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
45A(Tc)
10V
48 毫欧 @ 26A,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4560 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
onsemi
272
现货
1 : ¥39.57000
剪切带(CT)
800 : ¥23.87935
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
50A(Tc)
10V
42.5 毫欧 @ 25A,10V
5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±30V
7280 pF @ 25 V
-
260W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IRFP264PBF
MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Vishay Siliconix
839
现货
1 : ¥44.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
38A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 23A,10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
8-MLP, Power56
FDMS2734
MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
onsemi
2,700
现货
1 : ¥45.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥22.23477
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.8A(Ta),14A(Tc)
6V,10V
122 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2365 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MLP(5x6),Power56
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Infineon Technologies
4,117
现货
1 : ¥52.95000
剪切带(CT)
1,000 : ¥27.39172
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
64A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 270µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Infineon Technologies
2,507
现货
1 : ¥64.77000
剪切带(CT)
1,000 : ¥36.74134
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
64A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。