19A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 33
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™FASTIRFET™, HEXFET®HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®U-MOSVIII-Hπ-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V60 V75 V100 V200 V450 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 25A,4.5V2.8 毫欧 @ 25A,10V4mOhm @ 10A, 10V4.5 毫欧 @ 19A,10V4.5 毫欧 @ 80A,10V4.7 毫欧 @ 20A,10V4.7 毫欧 @ 50A,10V4.8 毫欧 @ 19A,10V5 毫欧 @ 19A,10V5.2 毫欧 @ 20A,10V5.2 毫欧 @ 50A,10V5.3 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 50µA2.25V @ 250µA2.3V @ 200µA2.3V @ 250µA2.35V @ 25µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 350µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.6V @ 150µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V15.4 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18 nC @ 10 V23 nC @ 10 V33.7 nC @ 10 V35 nC @ 10 V38 nC @ 10 V39 nC @ 10 V43 nC @ 10 V44 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
590 pF @ 20 V1024 pF @ 15 V1100 pF @ 30 V1320 pF @ 100 V1400 pF @ 15 V1530 pF @ 25 V1667 pF @ 10 V1700 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V2164 pF @ 25 V2200 pF @ 15 V2320 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
1W(Ta),23W(Tc)1W(Tc)1.1W(Ta)1.6W(Ta)2.5W2.5W(Ta)2.8W(Ta),34W(Tc)2.8W(Ta),37W(Tc)3W(Ta)3.1W(Ta)3.6W(Ta),160W(Tc)3.7W(Ta),79W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-PQFN(5x6)8-SO FLMP8-SO8-SOIC8-SOP-IPAK/TPLPTSTO-220-3TO-220FNTO-220FPTO-220SIS
封装/外壳
6-PowerUDFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘-TO-220-3 整包TO-220-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
33结果
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/ 33
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8,080
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.84424
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
6.2 毫欧 @ 9A,10V
2.3V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 15 V
-
1W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C646NLT1G
MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
onsemi
2,348
现货
1 : ¥20.44000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.69272
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.7 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±20V
2164 pF @ 25 V
-
3.7W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
0
现货
查看交期
1 : ¥38.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
19A(Ta)
10V
400 毫欧 @ 9.5A,10V
4V @ 1mA
43 nC @ 10 V
±30V
1700 pF @ 25 V
-
35W(Ta)
150°C
-
-
通孔
TO-220FN
TO-220-3 整包
8-Power TDFN
IRFHM8326TRPBF
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Infineon Technologies
7,466
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.88218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.7 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 50µA
39 nC @ 10 V
±20V
2496 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
-
8-PowerTDFN
DPAK_369C
SFT1350-TL-H
MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta)
4.5V,10V
59 毫欧 @ 9.5A,10V
-
12 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 20 V
-
1W(Ta),23W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TP-FA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LPTS
R5019ANJTL
MOSFET N-CH 500V 19A LPTS
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1,000 : ¥24.42248
卷带(TR)
1,000 : ¥28.09148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
19A(Ta)
-
-
-
-
-
-
-
100W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LPTS
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
41
现货
1 : ¥28.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
450 V
19A(Ta)
10V
250 毫欧 @ 9.5A,10V
4V @ 1mA
45 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
U-DFN2020-6 Type E
DMT34M8LFDE-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.56708
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4mOhm @ 10A, 10V
2.5V @ 250µA
15.4 nC @ 10 V
±20V
1024 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMT34M8LFDE-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.79924
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4mOhm @ 10A, 10V
2.5V @ 250µA
15.4 nC @ 10 V
±20V
1024 pF @ 15 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
AOY2610E
MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,500 : ¥2.81205
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
19A(Ta)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
59.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251B
TO-251-3 短引线,IPAK
8-SOIC
AO4268
MOSFET N-CHANNEL 60V 19A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥4.84403
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 19A,10V
2.3V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS7066ASN3
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
onsemi
0
现货
2,500 : ¥5.04773
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 19A,10V
3V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
2460 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC
FDS7060N7
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
onsemi
0
现货
2,500 : ¥6.13136
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 19A,10V
3V @ 250µA
56 nC @ 5 V
±20V
3274 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
5.3 毫欧 @ 19A,10V
2.3V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥8.59051
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 19A,10V
2.25V @ 250µA
44 nC @ 4.5 V
±20V
3710 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252-3
DKI10526
MOSFET N-CH 100V 19A TO252
Sanken Electric USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Ta)
4.5V,10V
47.7 毫欧 @ 9.3A,10V
2.5V @ 350µA
23 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4378DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
19A(Ta)
2.5V,4.5V
2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
1.8V @ 250µA
55 nC @ 4.5 V
±12V
8500 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4378DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
19A(Ta)
2.5V,4.5V
2.7 毫欧 @ 25A,4.5V
1.8V @ 250µA
55 nC @ 4.5 V
±12V
8500 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4398DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
2,500 : ¥13.26299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
19A(Ta)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 25A,10V
3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
5620 pF @ 10 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7834
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
95 : ¥14.99895
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 19A,10V
2.25V @ 250µA
44 nC @ 4.5 V
±20V
3710 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-263
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
onsemi
0
现货
800 : ¥15.18996
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
19A(Ta)
10V
130 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 100 V
-
93W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-Power TDFN
IRFH7185TRPBF
MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥25.04000
剪切带(CT)
4,000 : ¥12.19447
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Ta)
10V
5.2 毫欧 @ 50A,10V
3.6V @ 150µA
54 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 50 V
-
3.6W(Ta),160W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
TO-263
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
19A(Ta)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
138 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRF7834TRPBF
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 19A,10V
2.25V @ 250µA
44 nC @ 4.5 V
±20V
3710 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7834PBF
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 19A,10V
2.25V @ 250µA
44 nC @ 4.5 V
±20V
3710 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 33

19A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。