73A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 45
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesIXYSMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor CorporationVishay SiliconixWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, Q ClassOptiMOS®-P2OptiMOS™POWER MOS 7®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V300 V600 V650 V900 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V15V15V,18V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 20A,10V7.3 毫欧 @ 20A,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V8 毫欧 @ 14A,10V8.3 毫欧 @ 73A,10V8.4 毫欧 @ 36A,10V8.9 毫欧 @ 70A,10V9.6 毫欧 @ 46A,10V13 毫欧 @ 25A,10V14 毫欧 @ 25A,10V14 毫欧 @ 44A,10V16 毫欧 @ 25A,10V20 毫欧 @ 25A,10V39 毫欧 @ 30A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.95V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 55µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 11mA3.5V @ 46µA3.8V @ 49µA4V @ 100µA4V @ 120µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 4mA4V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.1 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.4 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V30 nC @ 5 V35 nC @ 10 V37 nC @ 10 V46.2 nC @ 10 V54 nC @ 10 V70 nC @ 10 V74 nC @ 15 V105 nC @ 18 V107 nC @ 18 V140 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V+15V,-4V±15V±20V+22V,-10V+22.6V,-8V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
843 pF @ 15 V891 pF @ 20 V897 pF @ 20 V1099 pF @ 12 V1503 pF @ 600 V1710 pF @ 25 V1870 pF @ 325 V2410 pF @ 40 V2430 pF @ 800 V2464 pF @ 25 V2730 pF @ 50 V3026 pF @ 25 V3307 pF @ 25 V3550 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
3.3W(Ta),68W(Tc)3.8W(Ta),68W(Tc)58W(Tc)69W(Tc)75W(Tc)100W(Tc)107W(Tc)149W(Tc)157W(Tc)166W(Tc)190W(Tc)240W(Tc)300W(Tc)313W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-HPSOF8-PDFN(5x6)264 MAX™ [L2]D2PAKLFPAK56,Power-SO8PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO252-3PG-TO252-3-313PLUS247™-3PowerDI5060-8(UX 类)SOT-227BTO-220ABTO-247
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNSC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-264-3,TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
45结果
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/ 45
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70P04P409ATMA2
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Infineon Technologies
3,634
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.59762
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
73A(Tc)
-
8.9 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 120µA
70 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4610TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Infineon Technologies
866
现货
1 : ¥23.49000
剪切带(CT)
800 : ¥13.14049
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
73A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 44A,10V
4V @ 100µA
140 nC @ 10 V
±20V
3550 pF @ 50 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
C3M0065100K
C3M0030090K
SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Wolfspeed, Inc.
2,737
现货
1 : ¥391.83000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
900 V
73A(Tc)
15V
39 毫欧 @ 35A,15V
3.5V @ 11mA
74 nC @ 15 V
+15V,-4V
1503 pF @ 600 V
-
240W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
SIHG73N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Vishay Siliconix
305
现货
1 : ¥99.91000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
73A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 36A,10V
4V @ 250µA
362 nC @ 10 V
±30V
7700 pF @ 100 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO252-3
IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Infineon Technologies
2,500
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.57352
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
73A(Tc)
6V,10V
9.6 毫欧 @ 46A,10V
3.5V @ 46µA
35 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 40 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN6R0-25YLB,115
MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,449
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.15315
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
73A(Tc)
4.5V,10V
6.1 毫欧 @ 20A,10V
1.95V @ 1mA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1099 pF @ 12 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerDI5060 UX
DMTH47M2LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
2,398
现货
395,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.25790
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
73A(Tc)
4.5V,10V
7.3 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
891 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
NTBL045N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
onsemi
1,829
现货
38,000
工厂
1 : ¥87.68000
剪切带(CT)
2,000 : ¥51.69221
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
73A(Tc)
15V,18V
50 毫欧 @ 25A,18V
4.3V @ 8mA
105 nC @ 18 V
+22.6V,-8V
1870 pF @ 325 V
-
348W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-247-4
NTH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
onsemi
274
现货
1 : ¥145.63000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
73A(Tc)
18V
39 毫欧 @ 30A,18V
4.4V @ 15mA
107 nC @ 18 V
+22V,-10V
2430 pF @ 800 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NTHL030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
onsemi
444
现货
1 : ¥166.77000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
73A(Tc)
18V
39 毫欧 @ 30A,18V
4.4V @ 15mA
107 nC @ 18 V
+22V,-10V
2430 pF @ 800 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NVH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
onsemi
430
现货
1,800
工厂
1 : ¥309.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
73A(Tc)
18V
39 毫欧 @ 30A,18V
4.4V @ 15mA
107 nC @ 18 V
+22V,-10V
2430 pF @ 800 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
D2PAK SOT404
BUK9614-55A,118
MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
73A(Tc)
4.5V,10V
13 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
-
±10V
3307 pF @ 25 V
-
149W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB-3,SOT78
BUK7514-55A,127
MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB
NXP USA Inc.
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
73A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
-
±20V
2464 pF @ 25 V
-
166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
2,375
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.80438
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
73A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 14A,10V
2.5V @ 250µA
14.4 nC @ 10 V
±20V
843 pF @ 15 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(5x6)
8-PowerTDFN
TO-220AB
PHP79NQ08LT,127
MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB
Nexperia USA Inc.
5,724
现货
1 : ¥17.49000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
73A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
30 nC @ 5 V
±15V
3026 pF @ 25 V
-
157W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB4610PBF
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Infineon Technologies
1,282
现货
1 : ¥18.96000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
73A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 44A,10V
4V @ 100µA
140 nC @ 10 V
±20V
3550 pF @ 50 V
-
190W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IPP083N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥15.11000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
73A(Tc)
6V,10V
8.3 毫欧 @ 73A,10V
3.8V @ 49µA
37 nC @ 10 V
±20V
2730 pF @ 50 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO252-3
IPD70P04P409ATMA1
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.59762
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
73A(Tc)
10V
8.9 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 120µA
70 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-264 PKG
APT60M75L2FLLG
MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥415.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
73A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 36.5A,10V
5V @ 5mA
195 nC @ 10 V
±30V
8930 pF @ 25 V
-
893W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
264 MAX™ [L2]
TO-264-3,TO-264AA
PowerDI5060 UX
DMTH47M2LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
30,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥1.87626
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
73A(Tc)
4.5V,10V
7.3 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
891 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMTH47M2SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥2.23311
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
73A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
12.1 nC @ 10 V
±20V
897 pF @ 20 V
-
3.3W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMTH47M2SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥2.48122
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
73A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
12.1 nC @ 10 V
±20V
897 pF @ 20 V
-
3.3W(Ta),68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
500 : ¥8.96428
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
73A(Tc)
6V,10V
8.3 毫欧 @ 73A,10V
3.8V @ 49µA
37 nC @ 10 V
±20V
2730 pF @ 50 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
SIHW73N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
480 : ¥50.78473
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
73A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 36A,10V
4V @ 250µA
362 nC @ 10 V
±20V
7700 pF @ 100 V
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520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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通孔
TO-247AD
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG73N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Vishay Siliconix
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N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
73A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 36A,10V
4V @ 250µA
362 nC @ 10 V
±30V
7700 pF @ 100 V
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520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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通孔
TO-247AC
TO-247-3
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73A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。