单 FET，MOSFET

结果 : 3,018
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLinear Integrated Systems, Inc.Micro Commercial Co
系列
-AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ VIDual Cool™Dual Cool™, PowerTrench®eGaN®FETKY™FRFET®, SupreMOS®HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带带盒（TB）托盘散装管件袋
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA50mA（Ta）160mA（Tj）175mA（Tj）250mA（Tj）350mA（Tj）430mA（Tj）450mA（Ta）630mA（Tj）700mA（Tj）890mA（Tj）1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，8V2.5V，10V2.5V，4.5V2.8V，10V3V，10V3.3V，10V4V，10V4.3V，10V4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.3mOhm @ 200A，10V0.4 毫欧 @ 50A，10V0.42 毫欧 @ 50A，10V0.44 毫欧 @ 88A，10V0.45 毫欧 @ 50A，10V0.47 毫欧 @ 50A，10V0.48 毫欧 @ 50A，10V0.49 毫欧 @ 50A，10V0.52 毫欧 @ 50A，10V0.52 毫欧 @ 88A，10V0.53 毫欧 @ 20A，10V0.55 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA（最小）1.2V @ 1mA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 1mA1.6V @ 250µA1.6V @ 500µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.45 nC @ 5 V1.1 nC @ 4.2 V1.8 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.2 V2.5 nC @ 5 V2.8 nC @ 5 V3.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V3.8 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-6.5V+5V，-16V+6V，-4V+6V，-5V±8V+10V，-20V±10V±12V±15V+16V，-10V±16V±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3.5 pF @ 15 V52 pF @ 20 V60 pF @ 25 V65 pF @ 25 V70 pF @ 20 V113 pF @ 20 V125 pF @ 20 V130 pF @ 10 V150 pF @ 20 V150 pF @ 25 V160 pF @ 20 V170 pF @ 20 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测肖特基二极管（体）肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
350mW360mW（Ta）375mW375mW（Ta）460mW（Ta），5W（Tc）480mW（Ta），6.25W（Tc）490mW（Ta），6.25W（Tc）500mW（Ta）610mW（Ta），61W（Tc）615mW（Ta），7.5W（Tc）630mW（Ta），104W（Tc）630mW（Ta），86W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C（TA）-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 185°C（TJ）-55°C ~ 200°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）150°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装，可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）5-DFN（5x6）（8-SOFL）6-DFN（2x2）6-MicroFET（2x2）6-PQFN 双通道（2x2）6-QFN（2x2）6-TSOP6-TSOP-F6-UDFNB（2x2）6-UDFN（2x2）6-WDFNW（2.05x2.05）6-WDFN（2x2）
封装/外壳
3-PowerSMD，引线3-SMD，无引线3-WDSON5-PowerSFN6-PowerUDFN6-PowerVDFN6-PowerWDFN6-SMD，扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerBSFN8-PowerDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,018结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 3,018
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
38,703
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82917
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3A（Ta）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 20 V
-
615mW（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D120-40EX
MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
35,319
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.9A（Ta），5.7A（Tc）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 2.9A，10V
2.5V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
113 pF @ 20 V
-
2W（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
336,787
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60082
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
95,270
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97322
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
22,484
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
2.5V，10V
26 毫欧 @ 9A，10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
18,016
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06404
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
56 毫欧 @ 3.6A，10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
16,425
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32083
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.7A（Ta），3.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 2.7A，10V
2.5V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
14,011
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34163
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6A（Ta）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 6A，10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
SI2318DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
9,821
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40643
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 3.9A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 20 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
53,517
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47738
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.3A（Ta）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1382 pF @ 20 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（E 类）
6-PowerUDFN
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
43,439
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47248
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.4A（Ta）
4.5V，10V
112 毫欧 @ 3.4A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro6™（TSOP-6）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
20,298
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.4A（Tc）
4.5V，10V
77 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
34,033
现货
1,727,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60335
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7.2A（Ta）
4.5V，10V
51 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2.14W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
126,885
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.84320
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
57,024
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.63882
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
22 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
12,094
现货
1 : ¥4.95000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.88015
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
48A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 15A，4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
193,612
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.68773
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10A（Ta）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-252, (D-Pak)
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
214,422
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.03224
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-DFN
AON6236
MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
207,854
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03222
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
19A（Ta），30A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1225 pF @ 20 V
-
4.2W（Ta），39W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN014-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
31,225
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.27651
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
46A（Tc）
10V
14 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
702 pF @ 20 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
SOT-23-3
SQ2389ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
100,478
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05822
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.1A（Tc）
4.5V，10V
94 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 20 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
52,315
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
Pkg 5540
SQ3419EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
14,855
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05822
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6.9A（Tc）
4.5V，10V
58 毫欧 @ 2.5A，10V
2.5V @ 250µA
11.3 nC @ 4.5 V
±20V
990 pF @ 20 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-23-3
SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
14,654
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05822
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 20 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
31,249
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.18582
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 3,018

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。