单齐纳二极管

结果 : 2
制造商
onsemiVishay General Semiconductor - Diodes Division
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
5.1 V12 V
功率 - 最大值
250 mW1 W
阻抗(最大值)(Zzt)
7 Ohms25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 8 V10 µA @ 1 V
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-
封装/外壳
DO-213AB,MELF(玻璃)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
DO-213ABSOT-23-3(TO-236)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗(最大值)(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 23-3
BZX84C12LT1G
DIODE ZENER 12V 250MW SOT23-3
onsemi
30,445
现货
1 : ¥1.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.18751
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
12 V
±5%
250 mW
25 Ohms
100 nA @ 8 V
900 mV @ 10 mA
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
76,495
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.82091
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
5.1 V
±5%
1 W
7 Ohms
10 µA @ 1 V
-
-
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DO-213AB,MELF(玻璃)
DO-213AB
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单齐纳二极管


齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。