二极管阵列

结果 : 2
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V1200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.55 V @ 10 A1.6 V @ 10 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
200 µA @ 600 V200 µA @ 1200 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
二极管配置
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
工作温度 - 结
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247N
SCS220AE2GC11
DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247N
Rohm Semiconductor
653
现货
1 : ¥74.14000
管件
-
管件
在售
1 对共阴极
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
10A(DC)
1.55 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA(Io)
0 ns
200 µA @ 600 V
175°C
通孔
TO-247-3
TO-247N
TO-247N
SCS220KE2GC11
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247N
Rohm Semiconductor
820
现货
1 : ¥114.28000
管件
-
管件
在售
1 对共阴极
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
10A(DC)
1.6 V @ 10 A
无恢复时间 > 500mA(Io)
0 ns
200 µA @ 1200 V
175°C
通孔
TO-247-3
TO-247N
显示
/ 2

二极管阵列


二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。