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SI2323DS-T1 已经过时且不再制造。
可用替代品:
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SI2323DS-T1 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI2323DS-T1-ND - 卷带（TR） | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SI2323DS-T1 | |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | |
规格书 | 规格书 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 20 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 4.7A，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 4.5 V | |
Vgs（最大值） | ±8V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1020 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥4.64031 | ¥13,920.93 |
| 6,000 | ¥4.41934 | ¥26,516.04 |
| 9,000 | ¥4.21537 | ¥37,938.33 |
制造商标准包装
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