
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
IRLD024PBF | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IRLD024PBF-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IRLD024PBF |
描述 | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 60 V 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-HVMDIP |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IRLD024PBF 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 60 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 1.5A,5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18 nC @ 5 V | |
Vgs(最大值) | ±10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 870 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | 4-HVMDIP | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
过期
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