Name: IRFBE30STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE30STRLPBFTR-ND
Price: 40.19 CNY
Availability: InStock

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IRFBE30STRLPBF
DigiKey 零件编号	IRFBE30STRLPBFTR-ND - 卷带（TR） IRFBE30STRLPBFCT-ND - 剪切带（CT） IRFBE30STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	IRFBE30STRLPBF
描述	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
原厂标准交货期	37 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 800 V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 78 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1300 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 125W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 800 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.1A（Tc）	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 欧姆 @ 2.5A，10V	基本产品编号 IRFBE30

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替代品 (5)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IRFBE30SPBF	Vishay Siliconix	960	IRFBE30SPBF-ND	¥36.97000	参数等效
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IRF540NSTRLPBF	Infineon Technologies	17,784	IRF540NSTRLPBFCT-ND	¥19.93000	类似

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