Name: IRFBE30PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE30PBF-ND
Price: 35.81 CNY
Availability: InStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 78 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1300 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 125W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 800 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.1A（Tc）	供应商器件封装 TO-220AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 欧姆 @ 2.5A，10V	基本产品编号 IRFBE30

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