Name: IRF630STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF630STRLPBFTR-ND
Price: 21.42 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

IRF630STRLPBF
DigiKey 零件编号	IRF630STRLPBFTR-ND - 卷带（TR） IRF630STRLPBFCT-ND - 剪切带（CT） IRF630STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	IRF630STRLPBF
描述	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
原厂标准交货期	78 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 200 V 9A（Tc） 3W（Ta），74W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IRF630STRLPBF 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 Vishay Siliconix	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 43 nC @ 10 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 800 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 3W（Ta），74W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 200 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 400 毫欧 @ 5.4A，10V	基本产品编号 IRF630