20ETF06S 已经过时且不再制造。
可用替代品:

参数等效


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 6,227
单价: ¥23.07000
规格书

参数等效


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 0
单价: ¥10.16199
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 290
单价: ¥16.58000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 0
单价: ¥0.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 11,547
单价: ¥21.43000
规格书

20ETF06S

DigiKey 零件编号
20ETF06S-ND
制造商
制造商产品编号
20ETF06S
描述
DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
客户内部零件编号
详细描述
二极管 600 V 20A 表面贴装型 TO-263AB(D2PAK)
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
20ETF06S 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
20A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.3 V @ 20 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
160 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-263AB(D2PAK)
工作温度 - 结
-40°C ~ 150°C
基本产品编号