1N4248GPHE3/54 已经过时且不再制造。
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1N4248GP-E3/54
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 0
单价: ¥1.16304
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类似

BYW55-TR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
现货: 24,392
单价: ¥5.01000
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1N4007GP-AP-HF
Micro Commercial Co
现货: 0
单价: ¥0.25498

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1N5620
Microchip Technology
现货: 387
单价: ¥35.05000
规格书

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EGP10K
onsemi
现货: 6,691
单价: ¥3.86000
规格书

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MUR180ERLG
onsemi
现货: 3,208
单价: ¥4.02000
规格书

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PR1007G-T
Diodes Incorporated
现货: 5,000
单价: ¥0.68632
规格书

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RGP10K
onsemi
现货: 3,540
单价: ¥3.12000
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UF1006-T
Diodes Incorporated
现货: 0
单价: ¥4.02000
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UF4006
onsemi
现货: 19,459
单价: ¥3.86000
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1N4248GPHE3/54

DigiKey 零件编号
1N4248GPHE3/54-ND - 卷带（TR）
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
制造商产品编号
1N4248GPHE3/54
描述
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
客户内部零件编号
详细描述
二极管 800 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
SUPERECTIFIER®
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
800 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 1 A
速度
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容
8pF @ 4V，1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结
-65°C ~ 160°C
基本产品编号
1N4248