Name: TPCC8105,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPCC8105,L1QTR-ND
Price: 6.32 CNY
Availability: InStock

TPCC8105,L1Q
DigiKey 零件编号	264-TPCC8105,L1QTR-ND - 卷带（TR） 264-TPCC8105,L1QCT-ND - 剪切带（CT） 264-TPCC8105,L1QDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPCC8105,L1Q
描述	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 30 V 23A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	23A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7.8 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+20V，-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3240 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta），30W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘

数量	单价 (含13%增值税)	总价 (含13%增值税)
5,000	¥2.26995	¥11,349.75
10,000	¥2.14469	¥21,446.90

TPCC8105,L1Q