Name: GT50JR21(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR21(STA1ES)-ND
Price: 37.44 CNY
Availability: InStock

GT50JR21(STA1,E,S)
DigiKey 零件编号	264-GT50JR21(STA1ES)-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	GT50JR21(STA1,E,S)
描述	PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	IGBT 600 V 50 A 230 W 通孔 TO-3P（N）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 IGBT 单 IGBT
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)	100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	2V @ 15V，50A
功率 - 最大值	230 W
开关能量	-
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	-
测试条件	-
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装	TO-3P（N）