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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
CSD19533KCS | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 296-37482-5-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | CSD19533KCS |
描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
原厂标准交货期 | 12 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 100 V 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | CSD19533KCS 型号 |
产品属性
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2670 pF @ 50 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 188W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 100 V | 供应商器件封装 TO-220-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10.5 毫欧 @ 55A，10V |
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替代品 (13)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP085N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP085N10A-F102-ND | ¥29.69000 | 类似 |
| FDP090N10 | onsemi | 11,754 | FDP090N10-ND | ¥36.64000 | 类似 |
| FDP100N10 | onsemi | 467 | FDP100N10-ND | ¥36.97000 | 类似 |
| IPP086N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND | ¥8.28820 | 类似 |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 319 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | ¥28.37000 | 类似 |
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管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.84000 | ¥20.84 |
| 50 | ¥10.14400 | ¥507.20 |
| 100 | ¥9.10610 | ¥910.61 |
| 500 | ¥7.28470 | ¥3,642.35 |
| 1,000 | ¥6.69911 | ¥6,699.11 |
| 2,000 | ¥6.20680 | ¥12,413.60 |
| 5,000 | ¥5.67428 | ¥28,371.40 |
| 10,000 | ¥5.42719 | ¥54,271.90 |
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