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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1mA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 104 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±20V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5080 pF @ 25 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 360W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 100 V | 供应商器件封装 TO-220-3 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
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替代品 (11)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD19503KCS | Texas Instruments | 930 | 296-37481-5-ND | ¥24.40000 | 类似 |
| CSD19533KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37482-5-ND | ¥20.84000 | 类似 |
| DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | 9 | DMT10H010LCTDI-ND | ¥21.42000 | 类似 |
| DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | 18 | DMTH10H010LCTDI-5-ND | ¥20.84000 | 类似 |
| FDP3632 | onsemi | 5,852 | FDP3632-ND | ¥37.63000 | 类似 |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 300 | ¥24.53293 | ¥7,359.88 |
