Name: STB35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16357-2-ND
Price: 53.34 CNY
Availability: OutOfStock

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STMicroelectronics

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类似

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STB35N60DM2
DigiKey 零件编号	497-16357-2-ND - 卷带（TR） 497-16357-1-ND - 剪切带（CT） 497-16357-6-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STB35N60DM2
描述	MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 28A（Tc） 210W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STB35N60DM2 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
制造商 STMicroelectronics	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 54 nC @ 10 V
系列 MDmesh™ DM2	Vgs（最大值） ±25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2400 pF @ 100 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 210W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 STB35
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 110 毫欧 @ 14A，10V

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
STB37N60DM2AG	STMicroelectronics	1,145	497-16105-1-ND	¥68.14000	参数等效
IPB60R099CPATMA1	Infineon Technologies	3,519	IPB60R099CPATMA1CT-ND	¥65.08000	类似
IPB65R125C7ATMA1	Infineon Technologies	0	IPB65R125C7ATMA1-ND	¥0.00000	类似

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剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。

卷带（TR）

数量	单价（含 13% 增值税）	总价（含 13% 增值税）
1,000	¥20.13025	¥20,130.25
2,000	¥19.44173	¥38,883.46

制造商标准包装

STB35N60DM2