IPB65R125C7ATMA1 Infineon Technologies | 单 FET，MOSFET

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Infineon Technologies

现货: 1,216

单价: ¥44.49000

类似

STMicroelectronics

现货: 1,060

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STMicroelectronics

现货: 1,115

单价: ¥68.14000

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 440µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V
系列 CoolMOS™ C7	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1670 pF @ 400 V
零件状态 DigiKey 停止提供	功率耗散（最大值） 101W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 PG-TO263-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Ta）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 IPB65R
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 8.9A，10V

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替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	1,216	IPB60R080P7ATMA1CT-ND	¥44.49000	直接
STB33N60M2	STMicroelectronics	1,060	497-14973-1-ND	¥42.34000	类似
STB37N60DM2AG	STMicroelectronics	1,115	497-16105-1-ND	¥68.14000	类似