Name: STB13NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB13NM60NTR-ND
Price: 52.51 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

STB13NM60N
DigiKey 零件编号	497-STB13NM60NTR-ND - 卷带（TR） 497-STB13NM60NCT-ND - 剪切带（CT） 497-STB13NM60NDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STB13NM60N
描述	MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 11A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	STB13NM60N 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 STMicroelectronics	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V
系列 MDmesh™ II	Vgs（最大值） ±25V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 790 pF @ 50 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 90W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 600 V	供应商器件封装 D2PAK
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 STB13
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 5.5A，10V

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替代品 (4)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
STB11NM80T4	STMicroelectronics	789	497-STB11NM80T4CT-ND	¥15.89000	直接
FCB11N60TM	onsemi	1,788	FCB11N60TMCT-ND	¥8.93000	类似
SIHB12N65E-GE3	Vishay Siliconix	2,816	SIHB12N65E-GE3-ND	¥7.07000	类似
SPB11N60C3ATMA1	Infineon Technologies	8,595	SPB11N60C3ATMA1CT-ND	¥8.17000	类似

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* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。

卷带（TR）

数量	单价（含 13% 增值税）	总价（含 13% 增值税）
1,000	¥18.90331	¥18,903.31
2,000	¥18.09889	¥36,197.78

制造商标准包装

STB13NM60N