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SCTW35N65G2V 没有现货，但可以进行缺货下单。
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SCTW35N65G2V | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-SCTW35N65G2V-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW35N65G2V |
描述 | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
原厂标准交货期 | 41 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 45A（Tc） 240W（Tc） HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTW35N65G2V 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V，20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 67毫欧 @ 20A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 73 nC @ 20 V | |
Vgs（最大值） | +22V，-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 240W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | HiP247™ | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 30 | ¥112.77100 | ¥3,383.13 |
| 90 | ¥106.13722 | ¥9,552.35 |
| 300 | ¥102.82047 | ¥30,846.14 |
| 750 | ¥96.18689 | ¥72,140.17 |
制造商标准包装
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