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SCTW35N65G2V 已经过时且不再制造。
可用替代品:
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SCTW35N65G2V | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-SCTW35N65G2V-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW35N65G2V |
描述 | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 45A（Tc） 240W（Tc） HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTW35N65G2V 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 73 nC @ 20 V |
制造商 | Vgs（最大值） +22V，-10V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1370 pF @ 400 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 240W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ） |
技术 | 等级 汽车级 |
漏源电压（Vdss） 650 V | 资质 AEC-Q101 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 安装类型 通孔 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V，20V | 供应商器件封装 HiP247™ |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 67毫欧 @ 20A，20V | 封装/外壳 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1mA | 基本产品编号 |
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替代品 (4)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 318 | MSC060SMA070B-ND | ¥46.15000 | 类似 |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | ¥128.43000 | 类似 |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | ¥101.39000 | 类似 |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | ¥89.40000 | 类似 |
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