Name: SCT055TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT055TO65G3TR-ND
Price: 75.75 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

SCT055TO65G3
DigiKey 零件编号	497-SCT055TO65G3TR-ND - 卷带（TR） 497-SCT055TO65G3CT-ND - 剪切带（CT） 497-SCT055TO65G3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	SCT055TO65G3
描述	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
原厂标准交货期	32 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 30A（Tc） 234W（Tc） TOLL（HV）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SCT055TO65G3 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.2V @ 1mA
制造商 STMicroelectronics	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 31 nC @ 18 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） +18V，-5V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 687 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 234W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）	供应商器件封装 TOLL（HV）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V	封装/外壳 8-PowerSFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 72 毫欧 @ 15A，18V	基本产品编号 SCT055