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类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 28 毫欧 @ 50A，20V |
制造商 SemiQ | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 20mA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 237nC @ 20V |
包装 盒 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5600pF @ 800V |
零件状态 在售 | 功率 - 最大值 333W（Tc） |
技术 碳化硅（SiC） | 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ） |
配置 4 N 沟道（全桥） | 安装类型 底座安装 |
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV） | 封装/外壳 模块 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 102A（Tc） |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥747.94000 | ¥747.94 |
| 10 | ¥583.03500 | ¥5,830.35 |
| 100 | ¥558.74160 | ¥55,874.16 |
