DigiKey 新品
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 70A(Tc) 385W(Tc) 通孔 20-HSDIP
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BST70B2P4K01-VC

DigiKey 零件编号
846-BST70B2P4K01-VC-ND
制造商
制造商产品编号
BST70B2P4K01-VC
描述
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
原厂标准交货期
27 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 70A(Tc) 385W(Tc) 通孔 20-HSDIP
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
4 N 沟道(全桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 70A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.8V @ 22.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
170nC @ 18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4500pF @ 800V
功率 - 最大值
385W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 175°C
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
封装/外壳
20-PowerDIP 模块(1.508",38.30mm)
供应商器件封装
20-HSDIP
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总价
(含 13% 增值税)
1¥912.64000¥912.64
10¥766.31300¥7,663.13
60¥702.64783¥42,158.87
120¥685.42767¥82,251.32
制造商标准包装