MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块
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MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P2C101

DigiKey 零件编号
BSM180D12P2C101-ND
制造商
制造商产品编号
BSM180D12P2C101
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
原厂标准交货期
27 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSM180D12P2C101 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35.2mA
制造商
Rohm Semiconductor
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23000pF @ 10V
包装
散装
功率 - 最大值
1130W
零件状态
在售
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
技术
碳化硅(SiC)
封装/外壳
模块
配置
2 个 N 通道(半桥)
供应商器件封装
模块
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
基本产品编号
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
204A(Tc)
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 1
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所有价格均以 CNY 计算
散装
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(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥4,476.55000¥4,476.55