Name: BSM180C12P2E202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P2E202-ND
Price: 5275.12 CNY
Availability: OutOfStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	Vgs（最大值） +22V，-6V
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 20000 pF @ 10 V
包装托盘	功率耗散（最大值） 1360W（Tc）
零件状态在售	工作温度 175°C（TJ）
FET 类型 N 通道	安装类型底座安装
技术 SiCFET（碳化硅）	供应商器件封装模块
漏源电压（Vdss） 1200 V	封装/外壳模块
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 204A（Tc）	基本产品编号 BSM180
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 35.2mA

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BSM180C12P2E202