Name: TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4PS-ND
Price: 69.63 CNY
Availability: InStock

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TP65H070G4PS
DigiKey 零件编号	1707-TP65H070G4PS-ND
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	TP65H070G4PS
描述	GANFET N-CH 650V 29A TO220
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 650 V 29A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 85 毫欧 @ 18A，10V
制造商 Renesas Electronics Corporation	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.7V @ 700µA
系列 SuperGaN®	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 638 pF @ 400 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 96W（Tc）
技术 GaNFET（氮化镓）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 650 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 29A（Tc）	供应商器件封装 TO-220AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3