Name: TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PWS-ND
Price: 93.62 CNY
Availability: InStock

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TP65H030G4PWS
DigiKey 零件编号	1707-TP65H030G4PWS-ND
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	TP65H030G4PWS
描述	GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 650 V 55.7A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.8V @ 1mA
制造商 Renesas Electronics Corporation	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24.5 nC @ 12 V
系列 SuperGaN®	Vgs（最大值） ±20V
包装管件	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1500 pF @ 400 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 192W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
技术 GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）	安装类型通孔
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 TO-247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 55.7A（Tc）	封装/外壳 TO-247-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 12V	基本产品编号 TP65H030
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 41 毫欧 @ 30A，12V